| 型号：IDT70V5378S200BG8 | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：272-BBGA | 描述：IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量 | 576K（32K x 18） |
| 速度 | 200MHz |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 272-BBGA |
| 供应商器件封装 | 272-PBGA（27x27） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市昌和盛利电子有限公司 | 朱生/李小姐0755-83679110 0755-23125986 |
| 北京青山盛世电子技术有限公司 | 李小姐086-010-82610856 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
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1812（4532 公制）
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通孔电阻器
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轴向
RES 12.7K OHM 13W 5% WW AXIAL
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RES 12 OHM 13W 5% WW AXIAL
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1812（4532 公制）
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RES 12 OHM 13W 5% WW AXIAL
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1812（4532 公制）
INDUCTOR WW 6.8UH 10% 1812
- IS-L02F1-C
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轴向
RES 13K OHM 13W 5% WW AXIAL
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通孔电阻器
Vishay Dale
轴向
RES 13K OHM 13W 10% WW AXIAL
